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60 V第四代n沟道功率MOSFET:业内适用于标准栅极驱动电路的器件

发布日期:2019-10-07

日前,Vishay宣布推出新款60 V TrenchFET®第四代n沟道功率MOSFET---亚美娱乐优惠永远SiSS22DN,业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件,10 V条件下最大导通电阻降至4 m,采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封装。

与逻辑电平60 V器件不同,SiSS22DN提高了典型VGS(th)和Miller(米勒)平台电压,适用于栅极驱动电压高于6 V的电路,器件最佳动态特性缩短死区时间,防止同步整流应用发生击穿。SiSS22DN业内低导通电阻比排名第二的产品低4.8%—与领先的逻辑电平器件不相上下—QOSS为34.2 nC,QOSS与导通电阻乘积,即零电压开关(ZVS)或开关柜拓扑结构功率转换设计中,MOSFET的重要优值系数(FOM)达到最佳水平。为实现更高功率密度,器件比6 mm x 5 mm封装类似解决方案节省65%的PCB空间。

MOSFET经过100 % RG和UIS测试,符合RoHS标准,无卤素

SiSS22DN现可提供样品并已实现量产,供货周期为30周,视市场情况而定。

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