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兆易创新拟定增43亿元筹划DRAM芯片自研及产业化项目

发布日期:2019-10-09

9月23日,北京兆易创新科技股份有限公司(以下简称“兆易创新”)在股票交易异常波动公告中表示,拟定增43亿元,筹划DRAM芯片自研及产业化项目。如今,此次非公开发行A股相关事项已经获得兆易创新第三届董事会第八次会议审议通过,但尚需公司股东大会审议批准及中国证监会核准。

10月1日,兆易创新发布非公开发行A股股票预案公告。公告指出,本次非公开发行A股股票的发行对象为不超过10名特定投资者,发行的股票数量不超过本次发行前公司股份总数的20%,即不超过64,224,315股(含本数)。

预案显示,兆易创新本次发行募集资金总额(含发行费用)不超过人民币432,402.36万元(含本数),扣除发行费用后的募集资金净额将用于DRAM芯片研发及产业化项目及补充流动资金。

兆易创新拟定增43亿元筹划DRAM芯片自研及产业化项目

其中,DRAM芯片研发及产业化项目计划投资39.92亿元,拟投入募集资金33.24亿元。兆易创新拟通过本项目,研发1Xnm级(19nm、17nm)工艺制程下的DRAM技术,设计和开发DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4系列DRAM芯片。本项目的成功实施,有助于公司丰富自身产品线,有效整合产业资源,巩固并提高公司的市场地位和综合竞争力。

资料显示,兆易创新自2005年设立并进入闪存芯片设计行业,通过技术开拓、业务并购,目前已成为中国大陆最为领先的芯片设计企业之一,主营业务为闪存芯片及其衍生产品、微控制器产品、传感器模块的研发、技术支持和销售。

兆易创新指出,通过本次非公开发行,公司将以募集资金投入DRAM芯片的研发及产业化,积极推进产业整合,加快业务发展,拓展战略布局。本次非公开发行是公司打造国内领先存储器厂商、全球领先芯片设计公司的关键战略,发行完成后,公司在存储器领域将成为覆盖Flash、DRAM的领军企业。

上述项目的实施能够丰富公司的产品结构,深入公司在存储器行业的布局,成为国内高端通用存储器领域领军企业,并能够在公司业务不断爬升、日益发展壮大的过程中补充营运资金。

DRAM作为集成电路领域通用芯片,产品标准化,非常适宜于迅速扩张,本次非公开发行完成及募集资金投资项目实施完毕后,公司在存储器领域的产品结构将得到进一步丰富,在NOR Flash、NAND Flash基础上切入DRAM存储芯片。项目完成后,兆易创新将掌握DRAM技术、具备DRAM产品设计能力。

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